半導體高純度RSiC爐管
產品描述
半導體爐是現代晶片製造的基石，其核心零件是RSiC爐管。這種高純度碳化矽爐管是垂直或水平擴散氧化爐的核心部件。在爐管內，晶圓在專用載體上，在受控氣氛下進行精確的高溫處理。作為一個不可或缺的高溫平台，RSiC爐管是熱氧化、擴散、LPCVD和退火等關鍵半導體製程的核心，可提供無與倫比的均勻性、穩定性和產能。
RSiC爐管的特點
碳化矽材料在高溫半導體設備的應用帶來了幾個關鍵優勢：
卓越的高溫穩定性：能夠在超過 1600°C 的環境中長期運行，短期耐受溫度高達 1800°C。
卓越的抗熱震性：高熱導率和低熱膨脹係數的結合使碳化矽爐管能夠承受快速加熱和冷卻循環而不會損壞。
優異的化學惰性：表現出優異的抗酸、鹼和各種製程氣體腐蝕的能力，確保製程純度。
高機械強度和硬度：保持結構完整性，在高熱負荷和機械負荷下抵抗變形，確保長期耐用性。
均勻的熱場分佈：設計用於保持極其一致的溫度曲線，具有最小的壁面梯度，這對於所有晶圓的製程均勻性至關重要。
特點和優勢
耐極端溫度：保證在最苛刻的熱處理過程中的性能和壽命。
快速熱循環能力：堅固的 RSiC 爐管可以處理快速的加熱和冷卻速率，從而提高生產率並縮短循環時間。
高熱導率：確保碳化矽爐管內高效率傳熱且穩定均勻的熱環境。
卓越的結構完整性：在延長的使用壽命內為晶圓舟提供可靠、無下垂的支撐。
優異的耐腐蝕和耐磨性：防止腐蝕性製程化學物質和大氣侵蝕，最大限度地減少顆粒的產生和污染。
主要參數
高溫窯爐設備產業 | 碳化矽 |
碳化矽含量（%） | ≥99% |
堆積密度（g/cm33） | 2.65~2.75 |
顯孔隙率（%） | <17 |
室溫強度（MPa） | 90~100 |
1300℃強度(MPa) | 100-110 |
20℃彈性模量 | 240 |
1200℃熱導率(W/mk) | 36 |
熱膨脹 x10-6/℃ | 4.6 |
最高使用溫度（℃） | 1650℃ |
20°C 時的硬度 (Kg/mm2） | 2000 |
20°斷裂韌性(MpaxM1/2） | 2.0 |
產品詳情
在半導體製造中，RSiC爐管是高溫設備的核心容器。這種高純度碳化矽爐管為晶圓加工創造了一個密封、均勻、無污染的環境。
主要功能：
容納晶圓（裝載在晶圓舟上）並促進擴散、氧化、退火和薄膜沉積等關鍵高溫步驟。
為了提供密封外殼，RSiC 爐管可以精確控制反應氣體（例如 O₂、N₂）的流動和分佈。
RSiC爐管的卓越性能確保了製程的一致性，最大限度地提高了產量，對於生產先進的半導體裝置至關重要。
包裝
我們的優勢
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