四柱式晶圓載體 RSiC 半導體托盤
RSiC 晶圓載體是一款採用優質碳化矽 (SiC) 製成的高性能解決方案。這款先進的四柱式晶圓載體能夠承受光伏製造過程中的極端高溫和腐蝕環境，顯著提升電池性能和生產效率。
在TOPCon電池製造製程中，半導體晶圓載體在LPCVD和退火操作中起著至關重要的作用，它為矽晶圓提供穩定的支撐，同時確保熱製程穩定性和晶圓均勻性。 RSiC晶圓載體透過精確的製程控制和穩定的晶圓質量，直接有助於提高電池轉換效率。
堅固的四柱式晶圓載體也適用於多晶矽鑄錠爐的熱場系統。 RSiC晶圓載體卓越的熱穩定性和低熱膨脹係數顯著提高了矽錠的品質和生產效率。
材料技術參數
半導體/光伏產業 | 碳化矽 |
碳化矽純度（%） | 99.9-99.99 |
堆積密度（g/cm3）3） | 2.65-2.75 |
顯孔隙率（%） | 15-16 |
室溫強度（MPa） | 90 |
1300℃強度(MPa) | 100 |
燒結體連接強度(MPa) | 25 |
產品詳情
RSiC 晶圓載體採用先進的重結晶技術，實現了卓越的材料純度。此半導體晶圓載體專為半導體、光伏和 LED 製造環境而設計，可在極端高溫和腐蝕條件下為晶圓和基板提供可靠的支撐。這款多功能四柱式晶圓載體在化學氣相沉積 (CVD)、擴散和退火應用等關鍵製程中展現出卓越的性能。
應用
RSiC 晶圓載體利用其卓越的耐高溫性、抗腐蝕性和卓越的清潔度，為多個先進製造領域提供全面的解決方案。
半導體製造
半導體晶圓載體可實現氧化、擴散 CVD 和離子注入等關鍵製程步驟。
光電生產
此四柱晶圓載體支援下一代 TOPCon 和 HJT 電池技術的 LPCVD 和退火工藝，直接有助於提高能源效率和轉換率。
第三代半導體和LED製造
RSiC 晶圓載體在 GaN 和 SiC 外延製程中可靠地支撐藍寶石和碳化矽基板，可承受包括氨和氯化氫在內的腐蝕性環境，同時能夠生產高頻功率裝置。
附加高級應用程式
在鋰電池正極材料燒結、核子材料熱處理等新興能源材料和科研領域，半導體晶圓載體在極端操作條件下始終展現出卓越的耐熱性、抗腐蝕性和超淨性能。
包裝
我們的團隊
本公司多年來致力於碳化矽全產業鏈產品的研發創新，依托領先的碳化矽製造技術和經驗，以知名高校、研究院所的高端人才為領軍，引進大批高校畢業生，組建了一流的研發團隊，致力於碳化矽原料及高純碳化矽製品的遠研發，為公司的長髮，為公司的長實發展奠定了堅實的基礎發展。
