12吋三柱式晶圓載具RSiC半導體托盤

在半導體產業中,12吋晶圓載體在12吋(300毫米)矽基晶片生產線中發揮至關重要的作用。 RSiC晶圓載體作為高性能耗材,可整合到現有的12吋矽製程設備中,尤其是在垂直擴散爐中。這款先進的重結晶碳化矽晶圓載體採用高純度碳化矽製成,具有卓越的性能特點:
1.卓越的高溫強度:12吋晶圓載體即使在超過1650°C的溫度下也能保持機械完整性,防止變形,同時安全支撐沉重的12吋晶圓。
2. 卓越的熱穩定性和抗衝擊性:RSiC晶圓載體可承受極快的加熱和冷卻循環而不會破裂,從而顯著縮短製程週期並提高生產能力。
3.超高純度和低污染:這種重結晶碳化矽晶圓載體含有極少的金屬雜質,污染比石英少,使其成為對雜質敏感的先進製程的理想選擇。
4.高熱導率:12吋晶圓載具促進爐管內溫度分佈均勻,提高製程一致性。
我們的製造能力包括瓦片載體、三柱式晶圓載體和四柱式晶圓載體。這些RSiC晶圓載體解決方案廣泛應用於半導體和光伏產業,特別適用於較小晶圓尺寸的氧化和離子注入製程。
材料技術參數
半導體/光伏產業 | 碳化矽 |
碳化矽純度(%) | 99.9-99.99 |
堆積密度(g/cm33) | 2.65-2.75 |
顯孔隙率(%) | 15-16 |
室溫強度(MPa) | 90 |
1300℃強度(MPa) | 100 |
燒結體連接強度(MPa) | 25 |
產品詳情



重結晶碳化矽晶圓載體
重結晶碳化矽晶圓載體採用高純度碳化矽基板,透過重結晶燒結技術製成,載體表面採用精密加工的齒槽結構,表面光滑無毛邊。
這款12吋晶圓載體專為對清潔度和穩定性要求極高的製造業而設計,包括半導體、光伏和LED,其主要功能是安全穩定地支撐矽晶圓。這款先進的RSiC晶圓載體廣泛應用於化學氣相沉積 (CVD)、熱擴散和高溫退火等關鍵製程。
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