• 12吋三柱式晶圓載具RSiC半導體托盤
  • 12吋三柱式晶圓載具RSiC半導體托盤
  • 12吋三柱式晶圓載具RSiC半導體托盤
  • 12吋三柱式晶圓載具RSiC半導體托盤
  • video

12吋三柱式晶圓載具RSiC半導體托盤

  • Starlight
  • 中國瀋陽
  • 30天-45天
  • 500噸/年碳化矽製品加工
RSiC 晶圓載體是半導體製造和晶體生長製程的關鍵元件,專為在高溫環境下承載矽晶圓或碳化矽基板而設計。這款重要的 12 吋晶圓載體可在各種熱處理階段提供可靠的支撐。

12吋三柱式晶圓載具RSiC半導體托盤

RSiC wafer carrier

在半導體產業中,12吋晶圓載體在12吋(300毫米)矽基晶片生產線中發揮至關重要的作用。 RSiC晶圓載體作為高性能耗材,可整合到現有的12吋矽製程設備中,尤其是在垂直擴散爐中。這款先進的重結晶碳化矽晶圓載體採用高純度碳化矽製成,具有卓越的性能特點:

1.卓越的高溫強度:12吋晶圓載體即使在超過1650°C的溫度下也能保持機械完整性,防止變形,同時安全支撐沉重的12吋晶圓。

2. 卓越的熱穩定性和抗衝擊性:RSiC晶圓載體可承受極快的加熱和冷卻循環而不會破裂,從而顯著縮短製程週期並提高生產能力。

3.超高純度和低污染:這種重結晶碳化矽晶圓載體含有極少的金屬雜質,污染比石英少,使其成為對雜質敏感的先進製程的理想選擇。

4.高熱導率:12吋晶圓載具促進爐管內溫度分佈均勻,提高製程一致性。

我們的製造能力包括瓦片載體、三柱式晶圓載體和四柱式晶圓載體。這些RSiC晶圓載體解決方案廣泛應用於半導體和光伏產業,特別適用於較小晶圓尺寸的氧化和離子注入製程。

材料技術參數

半導體/光伏產業

碳化矽

碳化矽純度(%)

99.9-99.99

堆積密度(g/cm33

2.65-2.75

顯孔隙率(%)

15-16

室溫強度(MPa)

90

1300℃強度(MPa)

100

燒結體連接強度(MPa)

25

產品詳情

Recrystallized silicon carbide wafer carrier

12-inch wafer CarrierRSiC wafer carrier

重結晶碳化矽晶圓載體

重結晶碳化矽晶圓載體採用高純度碳化矽基板,透過重結晶燒結技術製成,載體表面採用精密加工的齒槽結構,表面光滑無毛邊。

這款12吋晶圓載體專為對清潔度和穩定性要求極高的製造業而設計,包括半導體、光伏和LED,其主要功能是安全穩定地支撐矽晶圓。這款先進的RSiC晶圓載體廣泛應用於化學氣相沉積 (CVD)、熱擴散和高溫退火等關鍵製程。

包裝

Recrystallized silicon carbide wafer carrier

12-inch wafer Carrier

我們的服務

瀋陽瑞斯博國際貿易有限公司提供OEM及ODM服務,全程品質管控,即時訂單進度回饋,專業技術諮詢,快速回應售後問題。我們也提供客製化的國際物流解決方案,賦能客戶技術升級與供應鏈最佳化,確保全球客戶從採購到應用的無憂無慮。

RSiC wafer carrier

取得最新價格?我們將盡快回覆(12小時內)