電子陶瓷 RSiC 用於燒製電氣元件
產品描述
RSiC（重結晶碳化矽）陶瓷憑藉其卓越的物理和化學特性，正在徹底改變電氣元件燒成製造領域。這種先進材料助力電氣元件燒成領域的突破性創新，尤其適用於高性能電子陶瓷和半導體裝置。 RSiC 的獨特特性使其能夠對燒成環境進行前所未有的控制，確保敏感電氣元件在關鍵的熱處理階段獲得最佳效果。
RSiC在電子元件燒成中的特性
超高溫精密控制
可在1600℃下長期穩定運行，短期可達1800℃；
卓越的熱場均勻性
透過優化孔隙率設計，可調節熱導率（1.2-45 W/mK）；
快速燒結能力：在 100°C/min 的加熱速率下（MLCC 電極共燒），晶圓表面變化為 ±0.5°C；
精密燒結：5°C/min升溫速率下熱場穩定性±0.2°C（LTCC基板加工）；
絕對製程純度：為敏感電子陶瓷提供無污染的環境；
延長使用壽命
主要參數
高溫窯爐設備產業 | 碳化矽 |
碳化矽含量（%） | ≥99% |
堆積密度（g/cm33） | 2.65~2.75 |
顯孔隙率（%） | <17 |
室溫強度（MPa） | 90~100 |
1300℃強度(MPa) | 100-110 |
20℃彈性模量 | 240 |
1200℃熱導率(W/mk) | 36 |
熱膨脹 x10-6/℃ | 4.6 |
最高使用溫度（℃） | 1650℃ |
20°C 時的硬度 (Kg/mm2） | 2000 |
20°斷裂韌性(MpaxM1/2） | 2.0 |
應用
電子陶瓷製造
多層陶瓷電容器（MLCC）：RSiC燒結板可防止基板窯爐反應；
先進的電子陶瓷加工工藝，確保純度和熱穩定性；
電力電子封裝
SiC MOSFET 銀燒結：CTE 匹配的 RSiC 夾具（4.5×10⁻⁶/°C）可最大限度地減少 250°C 壓力燒結期間的熱應力；
針對功率元件製造中的電氣元件燒成進行了最佳化；
先進封裝解決方案
玻璃通孔（TGV）晶圓級封裝：RSiC基板在850°C玻璃回流過程中保持<1μm/100mm的平整度；
精密電子元件封裝性能優越；
支援組件
輕質燒結推板，保持抗彎強度；
精密晶圓載體（200mm/300mm規格）；
氣氛控制元件：多孔RSiC（孔徑10-50μm），H₂滲透均勻度±2%；
RSiC 陶瓷代表了燒製電氣元件的黃金標準，提供了下一代電子設備製造所需的精度、純度和性能。
包裝
我們的優勢
身為碳化矽（SiC）全產業鏈服務商，瀋陽瑞斯波特貿易有限公司在商業模式與價值鏈設計上充分整合上下游資源，形成差異化的外貿平台競爭力。我們將客製化的服務方案與高效的技術驅動生產系統相結合，確保卓越的品質和快速的響應速度，從而提供無縫銜接的高品質全球服務，助力客戶在國際市場取得成功。
