高純度SiC微粉4N-5N
產品描述
高純度SiC微粉，純度範圍為99.99%~99.999%（4N~5N級），粒徑範圍為奈米至微米（通常為0.1~10μm），具有優異的化學穩定性、高硬度、高熱導率等突出特性。高純度SiC微粉的核心價值在於其極高的化學純度，透過精密的製程將常見金屬雜質（如Fe、Al、Ca、K、Na等）的含量嚴格控制在極低的ppm級。
高純度SiC微粉材料主要為α-SiC或β-SiC晶型，粒徑從亞微米到數微米（一般為0.1～10μm），粒徑分佈均勻，燒結活性優良。
這種超高純度使其不再是製造普通耐火材料或磨料的原料，而是製備第三代半導體碳化矽晶體的核心原料。高純度SiC微粉廣泛應用於第三代半導體、高階精密陶瓷、先進複合材料等領域。它透過昇華法或化學氣相沉積法（CVD）直接用於單晶生長，其純度決定了最終半導體晶體的電學性能、缺陷密度和成品率。
此外，高純度SiC微粉也是新一代電子裝置、高性能導熱陶瓷（如高純度SiC坩堝、基片）以及某些特殊先進陶瓷複合材料製造的關鍵基礎原料。
原料特性
純度：99.99%（4N）至99.999%（5N）
粒度：通常為 0.1–10 μm（微粉範圍）
主要雜質：
金屬（鐵、鋁）：<10ppm（5N），<100ppm（4N）
氧氣（O）：<100 ppm
遊離碳（C）：<0.2%
產品詳情
高純度碳化矽微粉是一種用途廣泛的材料，可用於3D列印技術製造高強度耐磨零件。它還可用於塗料、電池、潤滑劑、催化劑、藥物、研磨工業、電子設備、陶瓷製品和耐火材料。高純度碳化矽粉末的應用領域取決於其純度、粒度、形貌和其他特性。不同的應用領域可能需要不同規格的高純度碳化矽粉末。均勻的顏色間接反映了其化學成分的一致性和製程的穩定性。
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