高純度SiC原料粉/SiC粗粉(5N-6N)
產品描述
高純度碳化矽粉末是一種物理化學性能優異的高性能陶瓷材料，主要由高純度碳化矽（SiC）組成。 SiC原料粉5N-6N的純度通常為99.999%-99.9999%，鐵、鋁、氧等雜質含量極低。總雜質含量應控制在0.001%（10 ppm）至0.0001%（1 ppm）範圍內。
常見的有α-SiC（六方晶系，如4H、6H型）和β-SiC（立方晶系）。 SiC粗粉通常為α相，穩定性較高，SiC粗粉粒徑範圍為10μm～100μm，SiC原料粉產品純度可達5N級（純度≥99.999%）。
此材料SiC粗粉已遠遠超出了普通工業磨料或耐火材料的範疇，SiC原粉是製備下一代高性能半導體裝置的核心基礎材料。
SiC原料粉末特性
SiC原料粉純度：99.999%（5N）～99.9999%（6N）
粒度：通常為 10–100 μm（SiC 粗粉範圍）
晶相：主要為 α-SiC（電子應用的 6H 或 4H 多型體）
主要雜質：
金屬（鐵、鋁、鎳、鉻）：<1 ppm（6N），<5 ppm（5N）
氧氣（O）：<50 ppm
氮（N）：<20 ppm
遊離碳（C）：<0.1%
產品詳情
碳化矽純度：99.999%（5N）至99.9999%（6N）。
高純度SiC原料粉體是高端製造業的關鍵基礎材料，隨著新能源、5G等產業的發展，需求持續成長。
在半導體產業中，它被用作物理氣相轉移（PVT）法生長碳化矽單晶錠的原料。粉末在高溫下昇華，被輸送到籽晶中進行重結晶，生長成用於製作晶圓的單晶錠。除了碳化矽本身的高硬度、高熱導率、抗熱震性之外，5N-6N高純粉末的核心特性只有一個：極高的純度。
5N-6N高純度碳化矽粉末是半導體產業金字塔頂端的明珠，它不再是簡單的粉末，而是一種需要極高純度、精確晶體結構、嚴格粒度控制的尖端功能材料。它的製備是一項橫跨材料科學、化學、熱力學和工程學的巨大挑戰，在未來電動車、新能源、5G通訊技術的發展中發揮重要作用。
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