半導體和光伏

半導體爐管（如擴散爐、氧化爐等所使用的爐管）必須符合超高純度、高溫穩定性、抗熱震性等嚴格要求。 RSiC爐管因其優異的性能，已成為主流材料。 燒結體純度達3N以上，加工精度達0.01mm。

RSiC 晶圓載體是半導體製造和晶體生長製程的關鍵元件，專為在高溫環境下承載矽晶圓或碳化矽基板而設計。這款重要的 12 吋晶圓載體可在各種熱處理階段提供可靠的支撐。

氮化矽結合碳化矽（NSiC）熱電偶保護管是高溫測量領域的關鍵元件。 NSiC熱電偶保護管在要求高溫強度、耐磨性、熱穩定性的極端環境下表現出優異的性能。

爐腔保溫桶是單晶矽生長、晶圓熱處理等半導體製造製程所使用的關鍵熱場零件。 保溫桶必須滿足極高的溫度、高純度、優良的保溫性能的要求。

爐體隔熱板是高溫半導體、光伏的核心零件。 RSiC熱屏蔽板新材質燒結設備。 RSiC熱屏蔽板具有耐高溫、熱損失小、使用壽命長的特性。

重結晶碳化矽懸臂槳是一種高性能陶瓷元件，因其優異的耐高溫、耐腐蝕、耐磨、熱震穩定性佳，主要應用於化學、冶金、環保、半導體等產業。

碳化矽晶舟是半導體製造和晶體生長過程中的關鍵載體，主要用於在高溫環境下承載矽片或碳化矽基板。 碳化矽晶舟具有純度高、耐高溫（1600℃以上）、耐酸鹼腐蝕、熱膨脹係數低、熱傳導率高等優點。

RSiC晶舟是半導體製造和晶體生長過程中的關鍵載體，主要用於在高溫環境下承載矽片或碳化矽基板。 水平晶舟用於水平擴散爐。

RSiC晶圓載體是半導體製造和晶體生長過程中的關鍵載體，主要用於在高溫環境下承載矽晶圓或碳化矽基板。 半導體晶圓載體具有純度高、耐高溫（1600℃以上）、耐酸鹼腐蝕、熱膨脹係數低、熱導率高等優點。

重結晶碳化矽爐管：重結晶碳化矽爐管是半導體製造設備中的關鍵零件，主要用於高溫製程腔體（如外延生長、離子注入、擴散爐等）。燒結體純度在3N以上，加工精度可達0.01mm，符合超高純度、耐腐蝕、精密尺寸的要求。

RSiC晶舟是半導體製造過程中的關鍵元件，旨在確保晶圓在高溫製程中安全穩定。 RSiC晶舟具有耐高溫、優異的抗熱震性、優異的耐酸鹼腐蝕性、高純度及結構穩定性等特性。

重結晶碳化矽（RSiC）熱電偶保護管是高溫測量領域的關鍵元件。 RSiC熱電偶管在要求高溫強度、耐磨性、熱穩定性的極端環境下表現出優異的性能。